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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26RF40BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT26RF40BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26RF40BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 26A, 400V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT26RF40BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26F120L
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1200V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT26F120L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26F120L
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1200V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT26F120L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26M100JCU2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1000V, 0.396ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT26M100JCU2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26GU30B
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT26GU30B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26M100JCU2
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1000V, 0.396ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT26M100JCU2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26GU30SAG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | APT26GU30SAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26F120B2
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1200V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT26F120B2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26GU30SA
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | APT26GU30SA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26F120B2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1200V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT26F120B2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26GU30K
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | APT26GU30K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26M100JCU3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1000V, 0.396ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT26M100JCU3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26M100JCU3
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1000V, 0.396ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT26M100JCU3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26GU30K
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | APT26GU30K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26GU30B
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT26GU30B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26GU30SA
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | APT26GU30SA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT26GU30KG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | APT26GU30KG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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77311-SAPT26
Amphenol Communications Solutions
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1 | Board Connector, 26 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking | 77311-SAPT26 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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77311-1APT26
Amphenol FCi
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1 | Board Connector | 77311-1APT26 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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J1MAPT-26XP
TE Connectivity
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0 | Power/Signal Relay, 1 Form C, SPST, Momentary, 26.5VDC (Coil), 351mW (Coil), 1A (Contact), 28VDC (Contact), DC Input, Panel Mount | J1MAPT-26XP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MAPT-26
Hi-G Relays
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1 | Power/Signal Relay, DPDT, Momentary, 0.02A (Coil), 26.5VDC (Coil), 530mW (Coil), 1A (Contact), 28VDC (Contact), DC Input, AC/DC Output | MAPT-26 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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77311R8APT26LF
Amphenol FCi
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1 | Board Connector, 26 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking | 77311R8APT26LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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77311R4APT26
Amphenol Communications Solutions
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1 | Board Connector, 26 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking | 77311R4APT26 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL8060CHAPT261
Shanghai Belling Co Ltd
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1 | Regulator | BL8060CHAPT261 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||