Showing 25 of 78 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT33GF120B2RD
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT33GF120B2RD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120B2RD
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT33GF120B2RD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120LRD
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT33GF120LRD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33N90JCCU3
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 900V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT33N90JCCU3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120LRDQ2
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT33GF120LRDQ2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120BR
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT33GF120BR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120HR
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT33GF120HR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120BR
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT33GF120BR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120LRDQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT33GF120LRDQ2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120LRDQ2
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT33GF120LRDQ2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120B2RDQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT33GF120B2RDQ2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120BR
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT33GF120BR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120LRDQ2G
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT33GF120LRDQ2G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120B2RDQ2G
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT33GF120B2RDQ2G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33H60S
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT33H60S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33N90JCCU3
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 900V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT33N90JCCU3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120HR
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 38A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA | APT33GF120HR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33N90JCU3
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 900V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT33N90JCU3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120LRDQ2G
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT33GF120LRDQ2G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120B2RDQ2
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT33GF120B2RDQ2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120LRD
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT33GF120LRD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120B2RD
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT33GF120B2RD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33N90JCU2
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT33N90JCU2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33N90JCCU2
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 900V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT33N90JCCU2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT33GF120B2RDQ2
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT33GF120B2RDQ2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||