Showing 25 of 150 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT902R4BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 6.5A, 900V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT902R4BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT902RCN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT902RCN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R3BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 10A, 900V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT901R3BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT904RCN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT904RCN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT903R5DN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT903R5DN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R3BN-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT901R3BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT902R4BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT902R4BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R1BN-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT901R1BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R1BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT901R1BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901RDN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT901RDN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R3AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,8.5A I(D),TO-3 | APT901R3AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R3HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,9A I(D),TO-258ISO | APT901R3HN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R3BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT901R3BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R1BN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT901R1BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT904R2BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 4A, 900V, 4.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT904R2BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R6BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 8A, 900V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT901R6BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT9050CFN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24.5A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT9050CFN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT904R2CN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT904R2CN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT904R2CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,3.3A I(D),TO-254ISO | APT904R2CN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT9045EN
Advanced Power Technology
|
1 | Transistor | APT9045EN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R3AN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT901R3AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R1BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 10.5A, 900V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT901R1BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT902RAN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT902RAN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT902R5CN
Advanced Power Technology
|
1 | Transistor | APT902R5CN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT901R1HN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT901R1HN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||