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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM10DUM05T
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 278A I(D), 100V, 0.005ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM10DUM05T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM100UM65D-A1N
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 145A I(D), 1000V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM100UM65D-A1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM10HM19FT3
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.02ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM10HM19FT3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM100A23SCTG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 1000V, 0.23ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM100A23SCTG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM120DA56T1G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1200V, 0.672ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM120DA56T1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM120U10SA
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 116A I(D), 1200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM120U10SA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM10DDAM09T3
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 100V, 0.0095ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM10DDAM09T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM120H80FT3G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM120H80FT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM10HM19FT3G
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.021ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM10HM19FT3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM100H35FTG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.42ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM100H35FTG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM100A13D
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1000V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM100A13D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM120SK29T
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1200V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM120SK29T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM120A29FTG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1200V, 0.348ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM120A29FTG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM10DDAM09T3G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 100V, 0.01ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM10DDAM09T3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM100A18FTG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 1000V, 0.216ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM100A18FTG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM100DDA35T3
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.35ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM100DDA35T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM120U10SAG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 116A I(D), 1200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM120U10SAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM100H35FT3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.42ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM100H35FT3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM10UM02FA
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 570A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM10UM02FA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM100U13S
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1000V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM100U13S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM120H57FT3
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1200V, 0.57ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM120H57FT3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM120A15FG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1200V, 0.175ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM120A15FG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM100A18FT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 1000V, 0.18ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM100A18FT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM10DSKM09T3G
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 100V, 0.01ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM10DSKM09T3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM10HM05F
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 278A I(D), 100V, 0.005ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APTM10HM05F |
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