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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B2N60H-Q20L60-2LU4-H1151
TURCK Inc
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1 | Inclinometer | B2N60H-Q20L60-2LU4-H1151 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B2N60H-Q20L60-2LI2-H1151/S97
TURCK Inc
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1 | Inclinometer, Plastic | B2N60H-Q20L60-2LI2-H1151/S97 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B2N60H-Q20L60-2LU3-H1151
TURCK Inc
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1 | Inclinometer | B2N60H-Q20L60-2LU3-H1151 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B2N60H-Q20L60-2LI2-H1151
TURCK Inc
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1 | Inclinometer | B2N60H-Q20L60-2LI2-H1151 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B2N60H-Q20L60-2LU3/S97
TURCK Inc
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1 | Inclinometer | B2N60H-Q20L60-2LU3/S97 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B2N60H-Q42-CNX2-2H1150
TURCK Inc
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1 | Inclinometer | B2N60H-Q42-CNX2-2H1150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60E/T3
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60E/T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60E
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTB2N60ET4
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTB2N60ET4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTB2N60E
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,2A I(D),TO-263AB | MTB2N60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60E
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTB2N60E
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTB2N60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTB2N60E
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTB2N60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N60TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N60TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60E118
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60E118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTB2N60ET4
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTB2N60ET4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60T/R
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60T/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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