Showing 6 of 6 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BL03N10TE
Galaxy Microelectronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET | BL03N10TE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BL03N10C-6LG
Galaxy Microelectronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BL03N10C-6LG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BL03N10TR
Galaxy Microelectronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET | BL03N10TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BL03N10T
Galaxy Microelectronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET | BL03N10T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BL03N10T-3L
Galaxy Microelectronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET | BL03N10T-3L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BL03N10C-6L
Galaxy Microelectronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BL03N10C-6L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||