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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60KR
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | BL1N60KR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BL1N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60KD
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | BL1N60KD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60KI
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | BL1N60KI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60K
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | BL1N60K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60F
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | BL1N60F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60F
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BL1N60F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | BL1N60 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||