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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL3N150-K
SHANGHAI BELLING
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1 | High Voltage Planar MOSFET,VDSS:1500V;ID:3A | Transistor Outline, Vertical | BL3N150-K |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL3N1K2
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BL3N1K2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL3N1K2F
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BL3N1K2F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL3N1K5F
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1500V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BL3N1K5F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL3N1K5B
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1500V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BL3N1K5B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL3N1K5
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1500V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BL3N1K5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL3N150FW
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1500V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BL3N150FW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL3N150U
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1500V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | BL3N150U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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