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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL4P06DF1
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | BL4P06DF1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL4P06-3L
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BL4P06-3L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL4P06G-3L
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BL4P06G-3L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL4P06G-6L
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BL4P06G-6L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL4P06-6L
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BL4P06-6L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBL4P06E
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TBL4P06E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBL4P06-6L
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TBL4P06-6L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBL4P06-3L
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TBL4P06-3L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBL4P06R
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TBL4P06R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBL4P06-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TBL4P06-S8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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