Showing 8 of 8 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BLD6G22LS-50,112
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLD6G22LS-50,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLD6G21LS-50
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLD6G21LS-50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLD6G21L-50
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLD6G21L-50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLD6G22L-50,112
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLD6G22L-50,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLD6G22LS-50
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLD6G22LS-50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLD6G21LS-50,112
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLD6G21LS-50,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLD6G22L-50
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLD6G22L-50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLD6G21L-50,112
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLD6G21L-50,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||