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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC109N10NS3GATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Surface Mount | Other | BSC109N10NS3GATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC105N10LSFG
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2 | Other | BSC105N10LSFG |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N06LS3GATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5 | Other | BSC100N06LS3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N06LS3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSC100N06LS3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N10NSF G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2 | Other | BSC100N10NSF G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC109N10NS3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSC109N10NS3 G |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC109N10NS3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 100V, 0.0109ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC109N10NS3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC100N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC105N10LSFGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC105N10LSFGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N06LS3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC100N06LS3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC100N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC106N025SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 25V, 0.0106ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC106N025SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC100N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N06LS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC100N06LS3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC109N10NS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 100V, 0.0109ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC109N10NS3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC100N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N10NSFGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC100N10NSFGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC105N10LSFGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC105N10LSFGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N10NSFGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC100N10NSFGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC100N10NSFG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC100N10NSFG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ET530ANBSC10036
Vertiv Inc
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1 | Cable Assembly, 1 Conductor(s), Communication Cable | ET530ANBSC10036 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XR-P111-7EB-CBSC-105M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Parallel - 7Th Overtone Quartz Crystal, 105MHz Nom | XR-P111-7EB-CBSC-105M000000 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XR-P111-3CY-JBSC-105M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 105MHz Nom | XR-P111-3CY-JBSC-105M000000 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1754C-57-BB-SC-10
EMCORE Corporation
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1 | DFB Laser Diode Emitter, SC/APC Connector, Butterfly, Panel Mount | 1754C-57-BB-SC-10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TEE300BSC10M000000AADC
Rakon Limited
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1 | Sine Output Oscillator, 10MHz Nom | TEE300BSC10M000000AADC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||