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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC884N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC884N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC883N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 34V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC883N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC883N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 34V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC883N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC883N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC883N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC886N03LSGE8178
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC886N03LSGE8178 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC883N03LSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC883N03LSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC882N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 34V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC882N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC884N03MSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC884N03MSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC889N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC886N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC884N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC884N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC886N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC886N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC883N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC883N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC889N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC882N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 34V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC882N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC889N03LSGE8178
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC889N03LSGE8178 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC886N03LSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC886N03LSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC889N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC889N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC889N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC889N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERNSBSC8872
Panasonic Electronic Components
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 88700ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, 5ppm/Cel | ERNSBSC8872 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZBSC-8-82-S+
Mini-Circuits
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1 | Signal Conditioning 8 Ways Power Splitter, 10 - 800 MHz, 50 ohm | ZBSC-8-82-S+ |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERNSBSC8871
Panasonic Electronic Components
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 8870ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, 5ppm/Cel | ERNSBSC8871 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERNSBSC8870
Panasonic Electronic Components
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 887ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, 5ppm/Cel | ERNSBSC8870 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZBSC-8-82+
Mini-Circuits
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1 | Splitter And Combiner | ZBSC-8-82+ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UESD54B(SC88A)
Union Semiconductor Inc
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1 | Transient Suppressor | UESD54B(SC88A) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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