Showing 25 of 215 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO301SP H
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | Small Outline Packages | BSO301SP H |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO307N
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 30V, 0.075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO307N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO301SN
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO301SN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO300N03S
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | BSO300N03S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO303SPH
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO303SPH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO301SP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO301SP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO300N03SFUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | BSO300N03SFUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO307N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO307N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO301SPH
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO301SPH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO303PH
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO303PH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO303PHXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO303PHXUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO304SN
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO304SN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO303SPHXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO303SPHXUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO303SP
Rochester Electronics LLC
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1 | 8.9A, 30V, 0.021ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 | BSO303SP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO302SN
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO302SN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO303P
Rochester Electronics LLC
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1 | 8.2A, 30V, 0.021ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 | BSO303P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO305N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO305N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO303SP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO303SP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO303SPNTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO303SPNTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO301SPNTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO301SPNTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO303PNTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO303PNTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO301SPHXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO301SPHXUMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSO303P
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSO303P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AR10BBSO3012
Viking Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.3333W, 30100ohm, 200V, 0.1% +/-Tol, 5ppm/Cel, Surface Mount, 2010, CHIP | AR10BBSO3012 |
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AR10BBSO3012N
Viking Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.333W, 30100ohm, 200V, 0.1% +/-Tol, -5,5ppm/Cel, 1909, | AR10BBSO3012N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||