Showing 25 of 29 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.375A I(D), 240V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89
Diodes Incorporated
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,240V V(BR)DSS,340MA I(D),SOT-223 | BSP89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89
Zetex / Diodes Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.375A I(D), 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89,115
Nexperia
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1 | Nexperia BSP89,115 N-channel MOSFET, 375 mA, 240 V, 3+Tab-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | BSP89,115 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89 H6327
Infineon
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1 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA | SOT223 (3-Pin) | BSP89 H6327 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89L6327XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89L6327XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 240V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89-TAPE-13
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89-TAPE-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89E6327T
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89E6327T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89,115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.375A I(D), 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89TRL13
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89TRL13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89L6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89L6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89135
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89H6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89H6327XTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89H6327XTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89-TAPE-7
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP89-TAPE-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89T/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5ohm, 1-Element, Silicon | BSP89T/R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89E-6327
Siemens
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1 | 0.36A, 240V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP89E-6327 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP89-T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6ohm, 1-Element, Silicon | BSP89-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||