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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806N
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS806N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806NH6327XTSA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | SOT23 (3-Pin) | BSS806NH6327XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806NEH6327XTSA1
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V OptiMOS 2, 3-Pin SOT-23 Infineon,57 moham,10.8 mJ -55 ... 150 °C | Other | BSS806NEH6327XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806N H6327
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | SOT23 (3-Pin) | BSS806N H6327 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806NL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | BSS806NL6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806NL6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS806NL6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806NE H6327
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | BSS806NE H6327 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806NEH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS806NEH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806NH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS806NH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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