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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Nexperia
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1 | P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor | Other | BSS84 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
onsemi
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1 | -0.13 A, -50 V RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -5 V; High-Density Cell Design for Low RDS(ON); Voltage-controlled P-channel small signal switch; High Saturation Current. | SOT23 (3-Pin) | BSS84 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
NXP
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1 | 130 MA, 50 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET | SOT23 (3-Pin) | BSS84 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Galaxy Microelectronics
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Transistor | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Continental Device India Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
CREATEK Microelectronics
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1 | P-Channel MOSFET in SOT-23 package with -50 V drain-source voltage, -0.13 A continuous drain current, low on-resistance, and fast switching speed suitable for power management and load switching applications. | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Microdiode Semiconductor (MDD)
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0 | BSS84 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Texas Instruments
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1 | 130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
SLKOR
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1 | Enhancement-Mode MOSFETs, BVDSS -50V, VGS +20V, IDR -130mA, IDRM -520mA, PD 200mW, RΘJA 350°C/W, TJ,Tstg -55 to +150°C. | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Siemens
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Infinex
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Taitron Components Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
MCC
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0 | Small Signal MOSFETS | BSS84 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Zetex / Diodes Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
National Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Huashuo Semiconductor
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1 | P-Ch 60V Fast Switching MOSFET with -0.3A continuous drain current, 6 ohm RDS(ON), low gate charge, and high cell density trench technology for small power switching and load switch applications. | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
Shikues Semiconductor
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1 | BSS84 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84
JCET Group
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1 | P-channel MOSFET in SOT-23 package with -50V drain-source voltage, -0.13A continuous drain current, and low on-resistance of 8 ohms at -10V gate-source voltage, designed for power management applications. | BSS84 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||