Showing 25 of 43 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-100A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-100A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK481-100A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK481-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-200A115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-200A115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-200A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-200A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-100A,135
NXP Semiconductors
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1 | 1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUK482-100A,135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-100AT/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-100AT/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-60AT/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-60AT/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK481-60A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK481-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK481-60AT/R
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK481-60AT/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-100
Texas Instruments
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1 | 1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUK482-100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-100A-T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-100A-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-100A135
NXP Semiconductors
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1 | TRANSISTOR 1.8 A, 100 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | BUK482-100A135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK483-60A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK483-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK483-60ATRL
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK483-60ATRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-60A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK483-60A-T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK483-60A-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-200A,135
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-200A,135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK483-60A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK483-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-100/S62Z
Texas Instruments
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1 | 1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUK482-100/S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-200A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-200A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK481-60AT/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK481-60AT/R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK481-100A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK481-100A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK481-100A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK481-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK482-60A-T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK482-60A-T |
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