Showing 25 of 100 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK552-100B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK552-100B |
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BUK552-60A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK552-60A |
0
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BUK553-60B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK553-60B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-200A127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK555-200A127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-50A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK555-50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-100A127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK555-100A127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK556-60A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK556-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-200A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK555-200A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK552-60A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK552-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-60B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK555-60B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK552
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK552 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-200A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK555-200A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK556-60A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK556-60A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-100A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK555-100A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK554-200B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK554-200B |
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BUK553-100B,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK553-100B,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK552-60B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK552-60B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-200B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK555-200B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-50B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK555-50B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK551-60B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK551-60B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-60B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK555-60B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK555-200B127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK555-200B127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK553-60B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK553-60B |
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BUK554-200B127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK554-200B127 |
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BUK555-60B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK555-60B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||