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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK581-100A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK581-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK581-100A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 100V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK581-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK582-100A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK582-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK581-100AT/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 100V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK581-100AT/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK582-100A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK582-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK583-60ATRL13
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK583-60ATRL13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK581-60A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK581-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK582-60A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK582-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK582-100A-T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK582-100A-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK581-100A135
NXP Semiconductors
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1 | TRANSISTOR 0.9 A, 100 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | BUK581-100A135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK583-60ATRL
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK583-60ATRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK581-60A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK581-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK583-60A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK583-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK581-60AT/R
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK581-60AT/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK582-100A,115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK582-100A,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK583-60A-T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK583-60A-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK582-100AT/R
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK582-100AT/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK581-100AT/R
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK581-100AT/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK583-60A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK583-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK582-100A115
NXP Semiconductors
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1 | TRANSISTOR 1.7 A, 100 V, 0.31 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | BUK582-100A115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK581-60AT/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK581-60AT/R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK582-60A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK582-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK581-100A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK581-100A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK582-100A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK582-100A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK582-60AT/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK582-60AT/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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