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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK653R4-40C
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK653R4-40C |
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BUK654R8-40C,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK654R8-40C,127 |
0
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BUK654R6-55C
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK654R6-55C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK6507-75C,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK6507-75C,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK657-400B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK657-400B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK657-500A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK657-500A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK657-600C
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK657-600C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK653R5-55C
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK653R5-55C |
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BUK653R5-55C
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK653R5-55C |
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BUK652R7-30C,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK652R7-30C,127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK652R0-30C,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK652R0-30C,127 |
0
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BUK657-500B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK657-500B |
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BUK655-500B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK655-500B |
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BUK653R5-55C,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK653R5-55C,127 |
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BUK657-500B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK657-500B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK653R7-30C
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK653R7-30C |
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BUK652R0-30C
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK652R0-30C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK657-500B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK657-500B |
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BUK653R7-30C,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK653R7-30C,127 |
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BUK654R0-75C
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK654R0-75C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK653R3-30C,127
Nexperia
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1 | N-channel TrenchMOS intermediate level FET@en-us TO-220 3-Pin | BUK653R3-30C,127 |
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BUK657-400B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK657-400B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK654R0-75C
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK654R0-75C |
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BUK655-500C
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK655-500C |
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BUK655R0-75C
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK655R0-75C |
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