Showing 25 of 78 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E07-55B,127
Nexperia
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1 | N-channel TrenchMOS standard level FET@en-us TO-262 3-Pin | BUK7E07-55B,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E4R6-60E,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E4R6-60E,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E11-55B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E11-55B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E04-40A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E04-40A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E1R8-40E,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E1R8-40E,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E2R7-30B
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E2R7-30B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E13-60E,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E13-60E,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E1R6-30E,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E1R6-30E,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E2R3-40E
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E2R3-40E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E1R6-30E,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-262AA | BUK7E1R6-30E,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E07-55B,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 119A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK7E07-55B,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E2R3-40C,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 276A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK7E2R3-40C,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E4R0-80E
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-262AA | BUK7E4R0-80E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E3R1-40E,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E3R1-40E,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E5R2-100E,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E5R2-100E,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E5R2-100E
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E5R2-100E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E2R6-60E
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E2R6-60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E11-55B,127
Nexperia
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1 | N-channel TrenchMOS standard level FET@en-us TO-262 3-Pin | BUK7E11-55B,127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E13-60E
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E13-60E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E13-60E
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E13-60E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E1R8-40E,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK7E1R8-40E,127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E04-40A
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E04-40A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E4R0-80E,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-262AA | BUK7E4R0-80E,127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK7E4R6-60E,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK7E4R6-60E,127 |
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BUK7E3R5-60E,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | BUK7E3R5-60E,127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||