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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP30
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | BUP30 | BUP30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP305D
Infineon Technologies AG
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1 | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,1.2KV V(BR)CES,TO-218AB | BUP305D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP306D
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-218 | BUP306D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP307D
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AB | BUP307D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP309
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-218 | BUP309 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP307
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BUP307 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP303
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel | BUP303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP302
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-218 | BUP302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP304
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-218 | BUP304 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP303
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-218 | BUP303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP307D
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-218 | BUP307D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP306D
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AB | BUP306D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP309
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel | BUP309 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP300
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BUP300 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP305D
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-218 | BUP305D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP307
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-218 | BUP307 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP302
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel | BUP302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP304
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel | BUP304 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP300
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-218 | BUP300 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP-30-P
AUTONICS
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1 | SENSOR, PHOTO, PLASTIC CASE, SLO | BUP-30-P |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP-30S
Autonics Corporation
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1 | Through Beam Photoelectric Sensor | BUP-30S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUP-30
Autonics Corporation
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1 | Through Beam Photoelectric Sensor, | BUP-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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