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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
STMicroelectronics
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1 | TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY■ 100% AVALANCHE TESTED■ HIGH CURRENT CAPABILITY■ 175oC OPERATING TEMPERATURE | Transistor Outline, Vertical | BUZ10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,20A I(D),TO-220AB | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19.3A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19.3A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10L-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10L-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10A
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10L-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10S2-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10S2-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10L-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10S2-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10S2-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10S2-E3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10S2-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10S2-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10S2-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10A
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L-E3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10L-E3045 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10-E3044 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||