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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ17
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ17 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ172
Infineon
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1 | SIPMOS® Power Transistor P channel -100 V -5.5 A,0.6 Ω,-55+ 150C | Transistor Outline, Vertical | BUZ172 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ172-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ172-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ173-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ173-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ172-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ172-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ171
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ171 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ171-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ171-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ173-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ173-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ173
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ173 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ173-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ173-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ171-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ171-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ171
Vishay Siliconix
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1 | Transistor | BUZ171 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ171
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ171 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ172-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ172-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ172-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ172-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ172-E3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ172-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ173
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ173 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ171-E3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ171-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ171-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ171-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ173-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ173-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ171-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ171-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ173-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ173-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ172
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ172 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ173-E3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ173-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ172-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ172-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||