Showing 25 of 25 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUZ17
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | BUZ17 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ173-E3046
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ173-E3046 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ172-E3045
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ172-E3045 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ172-E3044
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN | BUZ172-E3044 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ171
Infineon Technologies AG
|
1 | Transistor, | BUZ171 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ172-E3046
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ172-E3046 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ171
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | BUZ171 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ171-E3044
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN | BUZ171-E3044 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ173-E3046
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ173-E3046 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ173-E3045
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ173-E3045 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ172
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | BUZ172 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ171-E3046
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ171-E3046 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ173
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ173 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ171-E3046
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ171-E3046 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ173-E3044
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN | BUZ173-E3044 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ173
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | BUZ173 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ172-E3045
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ172-E3045 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ171-E3045
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ171-E3045 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ172-E3044
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ172-E3044 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ172
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | BUZ172 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ172-E3046
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ172-E3046 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ173-E3045
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ173-E3045 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ173-E3044
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ173-E3044 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ171-E3045
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ171-E3045 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ171-E3044
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ171-E3044 |
0
|
Build or Request |