Showing 23 of 23 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUZ331
Rochester Electronics LLC
|
1 | 8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 | BUZ331 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ330
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ330 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ332A
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ332A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ330
Motorola Mobility LLC
|
1 | 9.5A, 500V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC | BUZ330 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ332A
Semiconductor Technology Inc
|
1 | Transistor | BUZ332A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ338
Infineon
|
1 | Transistor,MOSFET,N Channel,BU | BUZ338 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ330
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AC | BUZ330 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ334
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ334 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ330
Freescale Semiconductor
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9.5A I(D),TO-218AA | BUZ330 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ332
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ332 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ339
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ339 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ332
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | BUZ332 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ334
Semiconductor Technology Inc
|
1 | Transistor | BUZ334 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ332A
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ332A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ330
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ330 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ331
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ331 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ331
North American Philips Discrete Products Div
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ331 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ338
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ338 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ334
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ334 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ330
New Jersey Semiconductor Products Inc
|
1 | Power Bipolar Transistor | BUZ330 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ330
North American Philips Discrete Products Div
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ330 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ339
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ339 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BUZ331
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ331 |
0
|
Build or Request |