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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ34
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ34 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ34
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ34 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ341
SIEMENS
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1 | 33 A, 200 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AA | Transistor Outline, Vertical | BUZ341 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ344
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ344 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ346
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ346 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ348
NXP Semiconductors
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0 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ348 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ348
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ348 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ345
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ345 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ346
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ346 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ341
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ341 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ344
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ344 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ348
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ348 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ347
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ347 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ349
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ349 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ342
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ342 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ349
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ349 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ349
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ349 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ347
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ347 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ346S2
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ346S2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ342
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ342 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ345
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ345 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ346S2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ346S2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ347
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ347 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ341
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ341 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||