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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ35
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ35
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ35
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | BUZ35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ35
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | BUZ35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ351
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AC | BUZ351 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ351
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ351 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ355
Rochester Electronics LLC
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1 | 6A, 800V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 | BUZ355 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ355
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ355 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ355
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ355 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ351
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ351 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ357
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ357 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ358
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ358 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ355
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ355 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ357
Semiconductor Technology Inc
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1 | Transistor | BUZ357 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ354
STMicroelectronics
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1 | 8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 | BUZ354 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ358
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ358 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ355
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,6A I(D),TO-218AC | BUZ355 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ351
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ351 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ350
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA | BUZ350 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ358
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1000V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | BUZ358 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ355
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ355 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ358
Semiconductor Technology Inc
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1 | Transistor | BUZ358 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ350
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ350 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ356
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ356 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ356
Semiconductor Technology Inc
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1 | Transistor | BUZ356 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||