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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ50B-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 7.5A, 1000V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUZ50A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50C-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ50C-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50C
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | BUZ50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50C-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ50C-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ50A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A-220MR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | BUZ50A-220MR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ50B-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN | BUZ50A-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50ASM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50ASM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50BSM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 1000V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUZ50BSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-TO220MR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 1000V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUZ50B-TO220MR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-TO220MR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50B-TO220MR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A-220MR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | BUZ50A-220MR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A.MOD
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50A.MOD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | BUZ50A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A-220TM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50A-220TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50BSM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50BSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-TO220M
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 1000V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUZ50B-TO220M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ50B-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-220MR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.5A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | BUZ50B-220MR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ50B-E3046 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A-220M
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | BUZ50A-220M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50C-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN | BUZ50C-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||