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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80
Semiconductor Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80AFI
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ80AFI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A
Semiconductor Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor | BUZ80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80FI
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ80FI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A
onsemi
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0 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | BUZ80-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A-E3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80A-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80A-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80A-E3046 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ80A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80A-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80A-E3046 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ80-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ80-E3046 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||