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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2304
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | MOSFET N Trench 30V 3.3A 2.2V @ 250uA 60 mΩ @ 3.2A,10V SOT-23(SOT-23-3) RoHS | SOT23 (3-Pin) | CJ2304 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2301-HF
Comchip Technology
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1 | -20 V, P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Other | CJ2301-HF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2302
ZPSEMI
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1 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | SOT23 (3-Pin) | CJ2302 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2301 S1
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | MOSFET P Trench 20V 2.3A 1V @ 250uA 112 mΩ @ 2.8A,4.5V SOT-23(SOT-23-3) RoHS | SOT23 (3-Pin) | CJ2301 S1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2302
JCET Group
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1 | N-Channel 20-V, 2.1-A SOT-23 MOSFET with 60 mΩ RDS(on) at 4.5 V VGS, suitable for load switches and DC/DC converters, operating junction temperature from -55 to +150 °C. | CJ2302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2301
JCET Group
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1 | P-Channel 20V -2.3A MOSFET in SOT-23 package with 112mΩ RDS(on) at -4.5V VGS, suitable for load switches and DC/DC converters, featuring ±8V gate-source voltage rating and 0.4W power dissipation. | CJ2301 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2302 S2
JCET Group
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1 | N-Channel 20-V MOSFET in SOT-23 package with 2.1A continuous drain current, 0.06 ohm typical drain-source on-resistance at 4.5V gate voltage, and trenchFET technology for load switch and DC/DC converter applications. | CJ2302 S2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2302
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | CJ2302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2302S
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | CJ2302S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2302S
JCET Group
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1 | N-channel 20V, 2.1A SOT-23 MOSFET with 60mΩ typical RDS(on) at 4.5V VGS, suitable for load switches and DC/DC converters. | CJ2302S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2301 S1
JCET Group
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1 | P-Channel 20-V, 2.3-A, SOT-23 MOSFET with 0.112 ohm typical RDS(on) at VGS = -4.5V, suitable for load switches and DC/DC converters. | CJ2301 S1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2306
JCET Group
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1 | N-Channel 30-V(D-S) MOSFET in SOT-23 package with 3.16A continuous drain current, 0.047 ohm drain-source on-resistance at VGS=10V, and trenchFET technology for load switch and DC/DC converter applications. | CJ2306 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2303
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | CJ2303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2305A
JCET Group
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1 | P-Channel TrenchFET MOSFET with -12V drain-source voltage, -4.1A continuous drain current, 50mΩ typical RDS(on) at -4.5V VGS, available in SOT-23 package for load switch and DC/DC converter applications. | CJ2305A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2304
JCET Group
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1 | N-Channel MOSFET in SOT-23 package with 30V drain-source voltage, 3.3A continuous drain current, and on-state resistance of 60mΩ at 10V VGS, suitable for load switches and DC/DC converters. | CJ2304 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2301S
JCET Group
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1 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET in SOT-23 package, with -2.3A continuous drain current, -10V gate-source voltage, and on-state resistance of 112mΩ at -4.5V VGS, suitable for load switches and DC/DC converters. | CJ2301S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2307
JCET Group
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1 | P-Channel 30-V MOSFET in SOT-23 package with -2.7A continuous drain current, -88mΩ RDS(on) at -10V gate-source voltage, suitable for load switch applications in portable devices. | CJ2307 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2305
JCET Group
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1 | P-Channel MOSFET in SOT-23 package with -12V drain-source voltage, -4.1A continuous drain current, and 45mΩ on-state resistance at -4.5V gate-source voltage, designed for load switches and DC/DC converters. | CJ2305 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2301
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | CJ2301 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2305K
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | CJ2305K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2301S
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | CJ2301S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2306
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | CJ2306 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2307
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.088ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | CJ2307 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2309A
JCET Group
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1 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with -60V Drain-Source Voltage, -2A Continuous Drain Current, 190mΩ RDS(on) at VGS=-10V, and SOT-23 package. | CJ2309A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJ2305
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | CJ2305 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||