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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060-10
Rochester Electronics LLC
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1 | CLF1G0060-10 - 10W Broadband RF power GaN HEMT | CLF1G0060-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-50
Rochester Electronics LLC
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1 | CLF1G0035-50 - 50W Broadband RF power GaN HEMT | CLF1G0035-50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-100
Rochester Electronics LLC
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1 | CLF1G0035-100 - 100W Broadband RF power GaN HEMT | CLF1G0035-100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-100PU
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | CLF1G0035-100PU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-100PU
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0035-100PU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060-10
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0060-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-100P
NXP Semiconductors
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor | CLF1G0035S-100P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-50,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | CLF1G0035-50,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060S-10
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0060S-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060-10U
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | CLF1G0060-10U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060-30
Rochester Electronics LLC
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1 | CLF1G0060-30 - 30W Broadband RF power GaN HEMT | CLF1G0060-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-100P
Rochester Electronics LLC
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1 | CLF1G0035-100 - 100W Broadband RF power GaN HEMT | CLF1G0035-100P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060S-10U
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | CLF1G0060S-10U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-50
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CLF1G0035S-50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-100,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0035-100,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-50
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CLF1G0035S-50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060S-10
Rochester Electronics LLC
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1 | CLF1G0060S-10 - 10W Broadband RF power GaN HEMT | CLF1G0060S-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-200P
Rochester Electronics LLC
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0 | CLF1G0035-200 - 200W Broadband RF power GaN HEMT | CLF1G0035-200P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060S-30
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CLF1G0060S-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-200P
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0035-200P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-100
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CLF1G0035S-100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-100P
Ampleon
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor | CLF1G0035S-100P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-50,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0035-50,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060-10
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0060-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060S-10
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0060S-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||