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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMWSH170H850HM4
Diodes Incorporated
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1 | N-Channel 1700 V 6.58A (Tj) 73.5W (Tc) Through Hole TO-247-4 | Other | DMWSH170H850HM4 |
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DMWSH120H28SM3Q
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 97.4A I(D), 1200V, 0.0285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H28SM3Q |
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DMWSH120H43SM4Q
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70.5A I(D), 1200V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H43SM4Q |
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DMWSH120H80SM4
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44.5A I(D), 1200V, 0.0805ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H80SM4 |
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DMWSH120H18HM4Q
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 108A I(D), 1200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H18HM4Q |
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DMWSH120H90SCT7-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38.2A I(D), 1200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | DMWSH120H90SCT7-13 |
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DMWSH120H80SM3
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44.5A I(D), 1200V, 0.0805ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H80SM3 |
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DMWSH120H28SM4Q
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1200V, 0.0285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H28SM4Q |
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DMWSH120H18HM3
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 108A I(D), 1200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H18HM3 |
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DMWSH120H28SM3
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, | DMWSH120H28SM3 |
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DMWSH120H23SM4Q
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H23SM4Q |
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DMWSH120H90SM3Q
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 1200V, 0.0975ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H90SM3Q |
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DMWSH120H90SM4
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1200V, 0.0975ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H90SM4 |
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DMWSH120H23SM4
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H23SM4 |
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DMWSH120H18HM4
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 108A I(D), 1200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H18HM4 |
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DMWSH120H43SM3
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72.7A I(D), 1200V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H43SM3 |
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DMWSH120H90SCT7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38.2A I(D), 1200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | DMWSH120H90SCT7 |
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DMWSH120H28SM4
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1200V, 0.0285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H28SM4 |
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DMWSH120H90SM3
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 1200V, 0.0975ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H90SM3 |
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DMWSH120H23SM3
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H23SM3 |
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DMWSH120H90SM4Q
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1200V, 0.0975ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H90SM4Q |
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DMWSH120H43SM4
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72.7A I(D), 1200V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | DMWSH120H43SM4 |
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