Showing 25 of 36 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
E5550
Telefunken Microelectronics Gmbh
|
1 | Memory IC | E5550 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIT9122AI-2B2-XXE555.000000
SiTime
|
1 | 220-625 MHz High Performance Differential Oscillator, 3.2 x 2.5mm Package | Other | SIT9122AI-2B2-XXE555.000000 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIT9122AI-2B2-33E555.000000
SiTime
|
1 | 220-625 MHz High Performance Differential Oscillator, 3.2 x 2.5mm Package | Other | SIT9122AI-2B2-33E555.000000 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIT9122AI-2B1-XXE555.000000
SiTime
|
1 | 220-625 MHz High Performance Differential Oscillator, 3.2 x 2.5mm Package | Other | SIT9122AI-2B1-XXE555.000000 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIT9122AI-2B1-33E555.000000
SiTime
|
1 | 220-625 MHz High Performance Differential Oscillator, 3.2 x 2.5mm Package | Other | SIT9122AI-2B1-33E555.000000 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
E5550K-S8
Temic Semiconductors
|
1 | Memory IC | E5550K-S8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
E5550F-S8
Atmel Corporation
|
1 | Memory IC | E5550F-S8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
E5550F-DOW
Temic Semiconductors
|
1 | Memory IC | E5550F-DOW |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
E5550H-DOW
Atmel Corporation
|
1 | Memory IC | E5550H-DOW |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
E5550K-DOW
Temic Semiconductors
|
1 | Memory IC | E5550K-DOW |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
E5550K-S8
Atmel Corporation
|
1 | Memory IC | E5550K-S8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
E5550F-S8
Temic Semiconductors
|
1 | Memory IC | E5550F-S8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
E5550H-DOW
Temic Semiconductors
|
1 | Memory IC | E5550H-DOW |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
E5550H-S8
Temic Semiconductors
|
1 | Memory IC | E5550H-S8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
E5550F-S8
Telefunken Microelectronics Gmbh
|
1 | Memory IC | E5550F-S8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RE55500RCC10
EBG RESISTORS LLC
|
1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 500ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 2ppm/Cel, Through Hole Mount | RE55500RCC10 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RE55500RFC7
EBG RESISTORS LLC
|
1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 500ohm, 200V, 1% +/-Tol, 5ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | RE55500RFC7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5550279A-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5550279A-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5550279A-T1A-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5550279A-T1A-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5550979A-T1-AZ
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | NE5550979A-T1-AZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RE55500KFC3
EBG RESISTORS LLC
|
1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 500000ohm, 200V, 1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | RE55500KFC3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5550779A-T1-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5550779A-T1-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5550779A-T1A-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5550779A-T1A-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5550279A-T1-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5550279A-T1-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NTE5550
NTE Electronics Inc
|
1 | Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 25mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220AB | NTE5550 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||