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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3426CEEV-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | SOT23 (6-Pin) | SQ3426CEEV-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay
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1 | Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel | SOT23 (6-Pin) | SQ3427AEEV-T1_GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3418AEEV-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified | SOT23 (6-Pin) | SQ3418AEEV-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified | SOT23 (6-Pin) | SQ3419AEEV-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3426AEEV-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified | SOT23 (6-Pin) | SQ3426AEEV-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3418AEEV-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) | SOT23 (6-Pin) | SQ3418AEEV-T1_BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3427AEEV-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S) | SOT23 (6-Pin) | SQ3427AEEV-T1_BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC1BAEEVT19.199999-T3
Abracon Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.199999MHz Nom | FC1BAEEVT19.199999-T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC1BAEEVT19.199999-T1
Abracon Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.199999MHz Nom | FC1BAEEVT19.199999-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3427EEV-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 60V, 0.082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MO-193C | SQ3427EEV-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC1BAEEVT19.2-T3
Abracon Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.2MHz Nom | FC1BAEEVT19.2-T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC1BAEEVT19.2-T1
Abracon Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.2MHz Nom | FC1BAEEVT19.2-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3427CEEV-T1_GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SQ3427CEEV-T1_GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC1BAEEVT16.0-T1
Abracon Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 16MHz Nom | FC1BAEEVT16.0-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC1BAEEVT19.199999-T2
Abracon Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.199999MHz Nom | FC1BAEEVT19.199999-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC1BAEEVT16.0-T3
Abracon Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 16MHz Nom | FC1BAEEVT16.0-T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC1BAEEVT19.2
Abracon Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.2MHz Nom | FC1BAEEVT19.2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC1BAEEVT19.2-T2
Abracon Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.2MHz Nom | FC1BAEEVT19.2-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3427EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQ3427EEV-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3419EEV-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 40V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MO-193C | SQ3419EEV-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3426EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQ3426EEV-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3419EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQ3419EEV-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3426CEEV-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SQ3426CEEV-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC1BAEEVT19.199999
Abracon Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.199999MHz Nom | FC1BAEEVT19.199999 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3419AEEV-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 40V, 0.061ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQ3419AEEV-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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