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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EGN21C210I2D
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | EGN21C210I2D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C320I2D
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | EGN21C320I2D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21A090IV
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Narrow Band High Power Amplifier, 2100MHz Min, 2200MHz Max, | EGN21A090IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21A045IV
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
|
1 | Narrow Band High Power Amplifier, 2100MHz Min, 2200MHz Max, | EGN21A045IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21A090IV
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | Narrow Band High Power Amplifier, 2100MHz Min, 2200MHz Max, | EGN21A090IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C160I2D
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | EGN21C160I2D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C105I2D
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, I2D, 2 PIN | EGN21C105I2D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C210I2D
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL-CERAMIC PACKAGE-2 | EGN21C210I2D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21B180IV
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL-CERAMIC PACKAGE-2 | EGN21B180IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21A180IV
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
|
1 | Narrow Band High Power Amplifier, 2100MHz Min, 2200MHz Max, | EGN21A180IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C020MK
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL-CERAMIC PACKAGE-2 | EGN21C020MK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21B090IV
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | EGN21B090IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C020MK
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | EGN21C020MK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C160I2D
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, I2D, 2 PIN | EGN21C160I2D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C030MK
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | EGN21C030MK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C320IV
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | EGN21C320IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21B180IV
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | EGN21B180IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21A045IV
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | Narrow Band High Power Amplifier, 2100MHz Min, 2200MHz Max, | EGN21A045IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C320IV
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, IV, 2 PIN | EGN21C320IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C030MK
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL-CERAMIC PACKAGE-2 | EGN21C030MK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C070MK
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, MK, 2 PIN | EGN21C070MK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21B090IV
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL-CERAMIC PACKAGE-2 | EGN21B090IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C105I2D
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | EGN21C105I2D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21A180IV
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | Narrow Band High Power Amplifier, 2100MHz Min, 2200MHz Max, | EGN21A180IV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EGN21C070MK
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | EGN21C070MK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||