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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60
Shenzhen SI Semiconductors Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | F2N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MDF2N60TH
MagnaChip
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1 | MagnaChip MDF2N60TH N-channel MOSFET Transistor, 2 A, 600 V, 3-Pin TO-220F | Transistor Outline, Vertical | MDF2N60TH |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M83-LFT1F2N60-0000-000
Harwin
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1 | Datamate J-Tek 3-Row: 60 Pos Receptacle Straight 3mm THT Connector Hex Socket Jackscrews Gold | Other | M83-LFT1F2N60-0000-000 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60L-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60L-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60L-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | F2N60L-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | F2N60L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60L-FC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60L-FC-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60G-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60G-FC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60G-FC-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60L-FC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60L-FC-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60L-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60G-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60G-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | F2N60G-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60L-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60G-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F2N60G-FC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | F2N60G-FC-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AF2-N-60-Q10-C-A3
Avens Signal Equipment Corp
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1 | Active Filter | AF2-N-60-Q10-C-A3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AF2-N-60-Q10-I-L-A2
Avens Signal Equipment Corp
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1 | Active Filter | AF2-N-60-Q10-I-L-A2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF2N60D1
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SSF2N60D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KF2N60I
KEC
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | KF2N60I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||