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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F4N60
Shenzhen SI Semiconductors Co Ltd
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1 | Transistor | F4N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F4N60L-MHQ-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | F4N60L-MHQ-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F4N60G-MHQ-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | F4N60G-MHQ-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F4N60G-MHQ-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | F4N60G-MHQ-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F4N60L-MHQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | F4N60L-MHQ-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F4N60L-MHQ-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | F4N60L-MHQ-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F4N60G-MHQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | F4N60G-MHQ-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F4N60L-MHQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | F4N60L-MHQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F4N60G-MHQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | F4N60G-MHQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABXGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N60JABXGU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABSHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABSHU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABEGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABEGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF4N60
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.6A, 600V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF4N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAVHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N60JAAVHU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABVHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABVHU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABSGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABSGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AOWF4N60
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Transistor | AOWF4N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M83-LFTIF4N60-0000-000
Harwin
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1 | CONNECTOR, 60 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER | M83-LFTIF4N60-0000-000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABVGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABVGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAASHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N60JAASHU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABXGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABXGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABSHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABSHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABEHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N60JABEHU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAXGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N60JAAXGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAASHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N60JAASHD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||