Showing 25 of 77 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP61N20
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 58nC); Low Crss ( Typ. 80pF); RDS(on) = 41mΩ ( Max.)@ VGS = 10V, ID = 30.5A | Transistor Outline, Vertical | FDP61N20 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6030BL
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, 60 V, 65 A, 16 mΩ, TO-220 | Transistor Outline, Vertical | FDP6030BL |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP65N06
onsemi
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1 | Fast Switching Speed; RDS(on) = 13mΩ (Max.)@ VGS = 10V, ID = 32.5A; Low gate charge (Typ. 33nC); Low Crss (Typ. 35pF); Improved dv/dt Capability | Transistor Outline, Vertical | FDP65N06 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP-624-T
Adam Technologies Inc
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1 | DIP Connector, 24 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.05 inch Pitch, IDC Terminal, Locking, Black Insulator | FDP-624-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP-628-T
Adam Technologies Inc
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1 | DIP Connector, 28 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.05 inch Pitch, IDC Terminal, Locking, Black Insulator | FDP-628-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP-632-T
Adam Technologies Inc
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1 | DIP Connector, 32 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.05 inch Pitch, IDC Terminal, Locking, Black Insulator | FDP-632-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP-636-T
Adam Technologies Inc
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1 | DIP Connector, 36 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.05 inch Pitch, IDC Terminal, Locking, Black Insulator | FDP-636-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP-640-T
Adam Technologies Inc
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1 | DIP Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.05 inch Pitch, IDC Terminal, Locking, Black Insulator | FDP-640-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6N60ZU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP6N60ZU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1240F(DP6A)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 2SA1240F(DP6A) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6030LS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP6030LS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6035AL
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP6035AL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HFDP-68-T
Adam Technologies Inc
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1 | Board Connector, 68 Contact(s), 4 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal, Plug | HFDP-68-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC3067FDP6A
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC3067FDP6A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6670AL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP6670AL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6035AL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP6035AL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6690S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP6690S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6644S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP6644S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6035AL
Rochester Electronics LLC
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1 | 48A, 30V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FDP6035AL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6035L
Rochester Electronics LLC
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1 | 58A, 30V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FDP6035L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6670AS_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP6670AS_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6676
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP6676 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP603ALS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP603ALS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6676SJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDP6676SJ69Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP6696J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDP6696J69Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||