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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6890A
onsemi
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1 | High performance trench technology for extremely low RDS(ON).; Fast switching speed.; High power and current handling capability.; 7.5 A, 20 V RDS(ON) = 0.018 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS = 2.5 V.; Low gate charge (23nC typical). | Small Outline Packages | FDS6890A |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6890A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6890A
Rochester Electronics LLC
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1 | 7.5A, 20V, 0.034ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOIC-8 | FDS6890A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6890AL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890AL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6890AL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.019ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890AL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6890AF011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890AF011 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6890A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890A_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6890AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890AD84Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||