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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6682
Rochester Electronics LLC
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1 | 75A, 30V, 0.0062ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 | FDU6682 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6688
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6688 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6680A
Rochester Electronics LLC
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1 | 14A, 30V, 0.0095ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 | FDU6680A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6696
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6696 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6612A
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6612A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6680_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6680_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6680
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 30V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 | FDU6680 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6644
Rochester Electronics LLC
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1 | 67A, 30V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 | FDU6644 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6688
Rochester Electronics LLC
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1 | 84A, 30V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 | FDU6688 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6682_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 75A, 30V, 0.0062ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, LEAD FREE, IPAK-3 | FDU6682_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6682
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6682 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6680
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6680 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6676AS_F071
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6676AS_F071 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6688
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6688 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6644-NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDU6644-NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6676AS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6676AS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6612A
Rochester Electronics LLC
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1 | 9.5A, 30V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 | FDU6612A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6692
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6692 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6612A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6612A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6682_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6682_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6676AS_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6676AS_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6644
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6644 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6680A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6680A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6682
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6682 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU6680A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU6680A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||