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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU8876
onsemi
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1 | MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK | Other | FDU8876 |
3
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FDU8896_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8896_F085 |
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FDU8896
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8896 |
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FDU8896_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 17A, 30V, 0.068ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, LEAD FREE, IPAK-3 | FDU8896_NL |
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FDU8876
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8876 |
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FDU8874_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8874_NL |
0
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FDU8874
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8874 |
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FDU8870
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8870 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU8896
Rochester Electronics LLC
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1 | 17A, 30V, 0.068ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 | FDU8896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU8870_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8870_F085 |
0
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FDU8896_NF071
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDU8896_NF071 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU8896-NBSW003A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDU8896-NBSW003A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU8876_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8876_NL |
0
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FDU8878_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8878_NL |
0
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FDU8870
Rochester Electronics LLC
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1 | 21A, 30V, 0.0044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 | FDU8870 |
0
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FDU8870
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8870 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU8870_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8870_NL |
0
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FDU8878
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8878 |
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FDU8880
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8880 |
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FDU8882_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8882_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU8882
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8882 |
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FDU8896_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8896_NL |
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FDU8880
Rochester Electronics LLC
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1 | 35A, 30V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 | FDU8880 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU8878
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDU8878 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDU8874
Rochester Electronics LLC
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1 | 35A, 30V, 0.0064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 | FDU8874 |
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