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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2508PB
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2508PB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2503N
Rochester Electronics LLC
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1 | 5500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA, TSSOP-8 | FDW2503N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2501NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA | FDW2501NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2503W
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2503W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW254PZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 9200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8 | FDW254PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2511NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2511NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2510NZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.4A, 20V, 0.024ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TSSOP-8 | FDW2510NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2516NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2516NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2508P-SBCP007A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2508P-SBCP007A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2501N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2501N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2511NZ_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2511NZ_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2507NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2507NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2515NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 20V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2515NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW256P-NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW256P-NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2503N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA | FDW2503N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2512NZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 6A, 20V, 0.028ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TSSOP-8 | FDW2512NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2506P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA | FDW2506P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2509NZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 7100mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8 | FDW2509NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2512NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2512NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2507NZ_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2507NZ_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW252P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 20V, 0.0125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW252P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2508P
Rochester Electronics LLC
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1 | 6000mA, 12V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8 | FDW2508P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2502P
Rochester Electronics LLC
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1 | 4400mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA, TSSOP-8 | FDW2502P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2510NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDW2510NZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDW2506P
Rochester Electronics LLC
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1 | 5300mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA, TSSOP-8 | FDW2506P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||