Showing 25 of 32 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FLM0910-8F
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
|
1 | Transistor | FLM0910-8F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-4C
FUJITSU Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-4C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-15F
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
|
1 | Transistor | FLM0910-15F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-12F
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-12F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-3F
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-3F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-4C
FUJITSU Semiconductor Limited
|
1 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2 | FLM0910-4C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-2
FUJITSU Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-25F
FUJITSU Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FLM0910-25F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-4F
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-4F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-8C
FUJITSU Semiconductor Limited
|
1 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2 | FLM0910-8C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-2
FUJITSU Semiconductor Limited
|
1 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2 | FLM0910-2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-25F
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-25F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-25F
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
|
1 | Transistor | FLM0910-25F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-12F
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-12F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-4F
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-4F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-8F
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-8F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-3F
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-3F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-4F
FUJITSU Semiconductor Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-4F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-3F
FUJITSU Semiconductor Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-3F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-4F
FUJITSU Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IA, 4 PIN | FLM0910-4F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-3F
FUJITSU Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-3F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-25F
FUJITSU Semiconductor Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FLM0910-25F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-8C
FUJITSU Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-8C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-8F
FUJITSU Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-8F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FLM0910-8F
FUJITSU Semiconductor Limited
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM0910-8F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||