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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAB57N04-Q1-H
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 40V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAB57N04-Q1-H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAC172N06-Q1
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 172A I(D), 60V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAC172N06-Q1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAC248N04-Q1
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 248A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAC248N04-Q1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAB48N04-Q1-H
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAB48N04-Q1-H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAC276N04-Q1
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 276A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAC276N04-Q1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAC172N06-Q1-H
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 172A I(D), 60V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAC172N06-Q1-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAC110N10-Q1-H
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAC110N10-Q1-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAB59N04-Q1
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | FMOSAB59N04-Q1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAC276N04-Q1-H
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 276A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAC276N04-Q1-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAB20N10-Q1-H
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAB20N10-Q1-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAB22P4P06-Q1
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | FMOSAB22P4P06-Q1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAB30P04A-Q1-H
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | FMOSAB30P04A-Q1-H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAB57N04-Q1
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 40V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAB57N04-Q1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAB20N10-Q1
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAB20N10-Q1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAB36N06-Q1
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | FMOSAB36N06-Q1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAC110N10-Q1
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAC110N10-Q1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMOSAB48N04-Q1
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FMOSAB48N04-Q1 |
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