Showing 25 of 150 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FPD22
Diodes Incorporated
|
1 | Zener Diode, 22V V(Z), 0.5W | FPD22 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DKFP-D22D-043L
SCHURTER
|
1 | DKFP COMP.CHOKE THT P O 4A 2X3.3mH | Other | DKFP-D22D-043L |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE | FPD2250 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89ESQ
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | FPD2250SOT89ESQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250-000S3
Qorvo
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | FPD2250-000S3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89CESQ
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | FPD2250SOT89CESQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89CECESQ
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | FPD2250SOT89CECESQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89
Qorvo
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET | FPD2250SOT89 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250-000
Qorvo
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | FPD2250-000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89CECESB
Qorvo
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | FPD2250SOT89CECESB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89CECESB
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | FPD2250SOT89CECESB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250-000
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | FPD2250-000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250-000SQ
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | FPD2250-000SQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250
Filtronic Compound Semiconductor
|
1 | Transistor | FPD2250 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89
Filtronic Compound Semiconductor
|
1 | Transistor | FPD2250SOT89 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250DFN
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | FPD2250DFN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89CECESQ
Qorvo
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | FPD2250SOT89CECESQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89CECESR
Qorvo
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | FPD2250SOT89CECESR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89CESB
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | FPD2250SOT89CESB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250DFN
Filtronic Compound Semiconductor
|
1 | Transistor | FPD2250DFN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250-000S3
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | FPD2250-000S3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89E
Filtronic Compound Semiconductor
|
1 | Transistor | FPD2250SOT89E |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET | FPD2250SOT89 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89ESR
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | FPD2250SOT89ESR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FPD2250SOT89E
RF Micro Devices Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET | FPD2250SOT89E |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||