Showing 12 of 12 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQA10N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA10N60C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQA10N60C
Rochester Electronics LLC
|
1 | 10A, 600V, 0.73ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA10N60C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQA10N80C-F109
onsemi
|
1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE | FQA10N80C-F109 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQA10N80C_F109
onsemi
|
1 | N-Channel QFET® MOSFET 800V, 10A, 1.1Ω, TO-3PN 3L, 3600-RAIL | FQA10N80C_F109 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQA10N80
Rochester Electronics LLC
|
1 | 9.8A, 800V, 1.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA10N80 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQA10N80_F109
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA10N80_F109 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQA10N80C_F109
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA10N80C_F109 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQA10N80C
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA10N80C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQA10N80C
Rochester Electronics LLC
|
1 | 10A, 800V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA10N80C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQA10N80
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA10N80 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQA10N80C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA10N80C_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
562RX5FQA102EE102M
Vishay Intertechnologies
|
1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 1000V, 20% +Tol, 20% -Tol, X5F, 7.5% TC, 0.001uF, Through Hole Mount | 562RX5FQA102EE102M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||