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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA140N10
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 220nC); 100% avalanche tested; 175°C maximum junction temperature rating; Low Crss ( Typ. 470pF); 140A, 100V RDS(on) = 10mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 70A | Transistor Outline, Vertical | FQA140N10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA14N30
Rochester Electronics LLC
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1 | 15A, 300V, 0.29ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA14N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA14N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 300V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA14N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA140N10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA140N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||