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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N90C_F109
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA8N90C_F109 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA8N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N90C_F109
onsemi
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1 | N-Channel QFET® MOSFET 900V, 8.0A, 1.9Ω, TO-3PN 3L, 3600-RAIL | FQA8N90C_F109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N90C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA8N90C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N80_F109
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA8N80_F109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N80C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 800V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA8N80C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N100C
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 1000V, 1.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA8N100C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N00C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA8N00C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N90C
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 900V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA8N90C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N100C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1000V, 1.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA8N100C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N80
Rochester Electronics LLC
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1 | 8.4A, 800V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA8N80 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N90C-F109
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 8.0 A, 1.9 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE | FQA8N90C-F109 |
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FQA8N80C_F109
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 800V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA8N80C_F109 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N80C
Rochester Electronics LLC
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1 | 8.4A, 800V, 1.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA8N80C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA8N100C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1000V, 1.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA8N100C |
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