Showing 13 of 13 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQB13N10L
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB13N10L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N50
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 500V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQB13N50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N06L
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB13N06L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N10
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB13N10 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N06
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB13N06 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N06LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB13N06LTM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N10LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB13N10LTM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N10TM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB13N10TM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N06LTM
Rochester Electronics LLC
|
1 | 13.6A, 60V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 | FQB13N06LTM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N06TM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB13N06TM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB13N50C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N50CTM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB13N50CTM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQB13N50CTM
Rochester Electronics LLC
|
1 | 13A, 500V, 0.48ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 | FQB13N50CTM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||