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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N60TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N60TM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N30TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N30TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N90TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.2A, 900V, 7.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 | FQB2N90TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N80TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.4A, 800V, 6.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 | FQB2N80TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N50TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N60 |
0
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FQB2NA90TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 900V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2NA90TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2NA90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 900V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2NA90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N50TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.1A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 | FQB2N50TM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N30 |
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FQB2N80TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N80TM |
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FQB2N90TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N90TM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB2N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB2N90 |
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